Инженеры из Иллинойского университета разработали энергонезависимую память с ультранизким энергопотреблением, которая способна обеспечить появление потребительских карманных устройств, не нуждающихся в подзарядке недели и даже месяцы. Исследование ведется вокруг существующей технологии, известной как память с фазовым переходом. Изюминкой новинки ставится использование углеродных нанотрубок толщиной в 10 тыс. меньше толщины человеческого волоса вместо традиционных в данном случае металлических проводников. Образец работает быстрее, нежели оригинальная память, притом что он потребляет в 100 раз меньше энергии, и в дальнейшем этот показатель вполне способен увеличить свой порядок.

Память с фазовым переходом опирается на халькогениды, стеклянное вещество, содержащее посеребренные полупроводники, такие как сера, селен или теллур. Искомые полупроводники обладают возможностью менять собственное физическое состояние, выраженное упорядочиванием атомов, из кристаллического в аморфное путем приложения небольшой порции электричества. А так как у этих двух состояний характеристики электросопротивления различны и могут быть легко измерены, халькогениды выступают идеальным материалом для хранения данных.

Нанотрубочная память с фазовым переходом ставится перспективным направлением технологических изысканий, ведь для современных устройств по-прежнему болезненным выступает вопрос энергопотребления и соответствующей длительности работы на одной подзарядке. К примеру, новейший iPad 2 представляет собой фактически одну гигантскую батарею, занимающую почти все внутреннее пространство корпуса этого планшета.

Опять же смартфоны, становясь всё мощнее, в итоге смогут потеснить компьютеры, например, в привычных офисных задачах, выступая при этом тонкими клиентами. В последних же основная нагрузка идет на процессор и память — ее-то и нужно сделать более энергоэффективной, — а не дисплей, который находится в выключенном состоянии.